Товарные характеристики
B82464-G4103-M
Epcos
B82464G4103M000
Характеристики индуктивных элементов
20 %
10 мкГн
10.4×10.4×4.8
3.4 А
3.5 А
85 °C
Отображение 1–20 из 95 результатов
-
Описание
Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4683M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4×10.4×4.8 мм. Индуктивность 68 мкГн ±20%, номинальный ток 1.3 А. Ток насыщения 1.45 А. Сопротивление постоянному току 0.13 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях.
Товарные характеристики
B82464-G4683-MEpcosB82464G4683M000Характеристики индуктивных элементов
±20 %68 мкГн10.4×10.4×4.81.3 А1.45 А85 °CДокументация – b82464g4
-
Описание
Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4102M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4 x 10.4 x 4.8 мм. Индуктивность 1 мкГн ±20%, номинальный ток 7.5 А. Ток насыщения 10 А. Сопротивление постоянному току 0.007 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях. В стандартной заводской бобине 750 шт.
Товарные характеристики
B82464-G4102-MEpcosB82464G4102M000Характеристики индуктивных элементов
20 %1 мкГн10.4×10.4×4.87.5 А10 А85 °CДокументация – b82464g4
-
Описание
Силовая SMD индуктивность CLF7045T-1R0N для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1 мкГн +/30%, номинальный ток 5.2 А. Сопротивление постоянному току 9.6 мОм. Типоразмер 7.2×6.9×4.5 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKCLF7045T-1R0NХарактеристики индуктивных элементов
±30 %1 мкГн7.2×6.9×4.55.2 АДокументация – CLF7045T-1R0N
-
Описание
Силовая SMD индуктивность VLCF5028T-1R3N2R5-2 для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.3 мкГн +/30%, номинальный ток 2.56 А. Сопротивление постоянному току 0.019 Ом (максимальное значения сопротивления 0.022 Ом). Типоразмер 5×5×2.8 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях. В стандартной заводской бобине 500 штук.Товарные характеристики
TDKVLCF5028T-1R3N2R5-2Характеристики индуктивных элементов
-
Описание
Силовая SMD индуктивность CLF6045T-1R5N для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.5 мкГн +/-30%, номинальный ток 4.2 А. Сопротивление постоянному току 13 мОм. Типоразмер 6.2×5.9×4.5 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKCLF6045T-1R5NХарактеристики индуктивных элементов
-
Описание
Силовая SMD индуктивность CLF7045T-1R5N для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.5 мкГн +/30%, номинальный ток 4.9 А. Сопротивление постоянному току 11 мОм. Типоразмер 7.2×6.9×4.5 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKCLF7045T-1R5NХарактеристики индуктивных элементов
±30 %1.5 мкГн7.2×6.9×4.54.9 АДокументация – CLF7045T-1R5N
-
Описание
Силовая SMD индуктивность SLF10165T-1R5N6R83PF для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.5 мкГн +/30%, номинальный ток 6.8 А. Сопротивление постоянному току 6.7 мОм. Типоразмер 10.1×10.1×6.8 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKSLF10165T-1R5N6R83PFХарактеристики индуктивных элементов
±30 %1.5 мкГн.1×10.1×6.86.8 АДокументация – SLF10165T-1R5N6R83PF
-
Описание
Силовая SMD индуктивность SLF6045T-1R5N4R0-3PF для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.5 мкГн +/30%, номинальный ток 4 А. Сопротивление постоянному току 16 мОм. Типоразмер 6×6×4.5 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKSLF6045T-1R5N4R0-3PFХарактеристики индуктивных элементов
±30 %1.5 мкГн6.0×6.0x4.54.0 АДокументация – SLF6045T-1R5N4R0-3PF
-
Описание
Экранированная силовая индуктивность B82559A7103A020 для поверхностного монтажа, серии ERU 20. Индуктивность 10 мкГн ±10%, высокий ток насыщения 18.3 А (25°C). Сопротивление постоянному току 3.7 мОм. Типоразмер (Д*Ш*В) 22.0*22.3*10.7 мм.
Конструктивно такая индуктивность выполнена по технологии спиральной намотки плоского эмалированного медного провода на ферритовый сердечник. Ферритовый сердечник с намоткой закреплен в ферритовом корпусе, экранирующем помехи. В качестве выводов используются луженые концы собственной обмотки катушки индуктивности, закрепленные на корпусе.
Подходит для применения в качестве энергонакопительных дросселей в DC/DC – преобразователях, модулях стабилизаторов напряжения.Товарные характеристики
EpcosХарактеристики индуктивных элементов
10 %10 мкГнERU 2018.3 АДокументация – B82559_A020
-
Описание
Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4103M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4 x 10.4 x 4.8 мм. Индуктивность 10 мкГн ±20%, номинальный ток 3.4 А. Ток насыщения 3.5 А. Сопротивление постоянному току 0.03 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях. В стандартной заводской бобине 750 шт.
-
Описание
Компактная экранированная силовая индуктивность B82477G4103M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 12.8 x 12.8 x 8.0 мм. Индуктивность 10 мкГн ±20%, номинальный ток 5.4 А. Ток насыщения 6.4 А. Сопротивление постоянному току 0.022 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для использования в DC/DC-преобразователях.
Товарные характеристики
B82477-G4103-MEpcosB82477G4103M000Характеристики индуктивных элементов
20 %10 мкГн12.8×12.8×85.4 А6.4 А85 °CДокументация: B82477G4 -
Описание
Силовая SMD индуктивность CLF6045T-100M для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/-20%, номинальный ток 1.7 А. Сопротивление постоянному току 38 мОм. Типоразмер 6.2×5.9×4.5 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKCLF6045T-100MХарактеристики индуктивных элементов
20 %10 мкГн6.2×5.9×4.51.7 АДокументация – CLF6045T-100M
-
Описание
Силовая SMD индуктивность CLF7045T-100M для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/20%, номинальный ток 2.5 А. Сопротивление постоянному току 38 мОм. Типоразмер 7.2×6.9×4.5 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKCLF7045T-100MХарактеристики индуктивных элементов
20 %10 мкГн7.2×6.9×4.52.5 АДокументация – CLF7045T-100M
-
Описание
Силовая SMD индуктивность SLF10165T-100M3R83PF для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/20%, номинальный ток 3.8 А. Сопротивление постоянному току 18.5 мОм. Типоразмер 10.1×10.1×6.8 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKSLF10165T-100M3R83PFХарактеристики индуктивных элементов
20 %10 мкГн10.1×10.1×6.83.8 АДокументация – SLF10165T-100M3R83PF
-
Описание
Силовая SMD индуктивность SLF6045T-100M1R6-3PF для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/20%, номинальный ток 1.6 А. Сопротивление постоянному току 39 мОм. Типоразмер 6×6×4.5 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.Товарные характеристики
TDKSLF6045T-100M1R6-3PFХарактеристики индуктивных элементов
20 %10 мкГн6.0×6.0x4.51.6 АДокументация – SLF6045T100M1R63PF
-
Описание
Силовая SMD индуктивность VLCF5028T-100M1R0-2 для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/20%, номинальный ток 1.05 А. Сопротивление постоянному току 0.072 Ом (максимальное значения сопротивления 0.083 Ом). Типоразмер 5×5×2.8 мм.
Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях. В стандартной заводской бобине 500 штук.Товарные характеристики
TDKVLCF5028T-100M1R0-2Характеристики индуктивных элементов
20 %10 мкГн5.0×5.0x2.81.05 АДокументация – VLCF5028T-100M1R0-2
-
Описание
Компактная экранированная силовая индуктивность B82462G4104M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 6.3 x 6.3 x 3.0 мм. Индуктивность 100 мкГн ±20%, номинальный ток 0.53 А. Ток насыщения 0.42 А. Сопротивление постоянному току 0.58 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях.
Товарные характеристики
B82462-G4104-MEpcosB82462G4104M000Характеристики индуктивных элементов
±20 %100 мкГн6.3×6.3×30.53 А0.42 А85 °CДокументация – SMT power inductors B82462G4
-
Описание
Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4104M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4 x 10.4 x 4.8 мм. Индуктивность 100 мкГн ±20%, номинальный ток 1.05 А. Ток насыщения 1.15 А. Сопротивление постоянному току 0.22 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях. В стандартной заводской бобине 750 шт.
Товарные характеристики
B82464-G4104-MEpcosB82464G4104M000Характеристики индуктивных элементов
20 %100 мкГн10.4×10.4×4.81.05 А1.15 А85 °CДокументация – b82464g4
-
Описание
Компактная экранированная силовая индуктивность B82477G4104M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 12.8 x 12.8 x 8.0 мм. Индуктивность 100 мкГн ±20%, номинальный ток 1.7 А. Ток насыщения 1.95 А. Сопротивление постоянному току 0.165 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для использования в DC/DC-преобразователях.
Товарные характеристики
B82477-G4104-MEpcosB82477G4104M000Характеристики индуктивных элементов
20 %100 мкГн12.8×12.8×81.7 А1.95 А85 °CДокументация – B82477G4
-
Описание
Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4105M0000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4 x 10.4 x 4.8 мм. Индуктивность 1000 мкГн ±20%, номинальный ток 0.34 А. Ток насыщения 0.35 А. Сопротивление постоянному току 2.2 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях. В стандартной заводской бобине 750 шт.
Товарные характеристики
B82464-G4105-MEpcosB82464G4105M000Характеристики индуктивных элементов
±20 %1000 мкГн10.4×10.4×4.80.34 А0.35 А85 °CДокументация – b82464g4