8 800 333-01-98 +7(812)-370-17-88  +7(812)-449-02-70
info@bec.spb.ru
Режим работы: пн-чт 9:00-17:00, пт 9:00-16:00
0
Товар добавлен в козину

Силовые SMD индуктивности

Главная Каталог Трансформаторы и индуктивные элементы Индуктивности Индуктивности для поверхностного монтажа Силовые SMD индуктивности

Отображение единичного результата.

pa_tiporazmer
pa_material
ABCabc

  • RM10 N87 с заз. Al=63 нГн Сердечник B65813J0063A087

    136.06 руб.

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 68 µH ±20% B82464G4683M000

    41.95 руб.

    Описание

    Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4683M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4×10.4×4.8 мм. Индуктивность 68 мкГн ±20%, номинальный ток 1.3 А. Ток насыщения 1.45 А. Сопротивление постоянному току 0.13 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях.

    Товарные характеристики

    B82464-G4683-M
    Epcos
    B82464G4683M000

    Характеристики индуктивных элементов

    ±20 %
    68 мкГн
    10.4×10.4×4.8
    1.3 А
    1.45 А
    85 °C

    Документация – b82464g4

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 1 µH ±20% B82464G4102M000

    41.95 руб.

    Описание

    Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4102M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4 x 10.4 x 4.8 мм. Индуктивность 1 мкГн ±20%, номинальный ток 7.5 А. Ток насыщения 10 А. Сопротивление постоянному току 0.007 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях. В стандартной заводской бобине 750 шт.

    Товарные характеристики

    B82464-G4102-M
    Epcos
    B82464G4102M000

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    1 мкГн
    10.4×10.4×4.8
    7.5 А
    10 А
    85 °C

    Документация – b82464g4

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 1 µH ±30% CLF7045T-1R0N

    39.99 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность CLF7045T-1R0N для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1 мкГн +/30%, номинальный ток 5.2 А. Сопротивление постоянному току 9.6 мОм. Типоразмер 7.2×6.9×4.5 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    CLF7045T-1R0N

    Характеристики индуктивных элементов

    ±30 %
    1 мкГн
    7.2×6.9×4.5
    5.2 А

    Документация – CLF7045T-1R0N

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 1.3 µH ±30% VLCF5028T-1R3N2R5-2

    46.58 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность VLCF5028T-1R3N2R5-2 для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.3 мкГн +/30%, номинальный ток 2.56 А. Сопротивление постоянному току 0.019 Ом (максимальное значения сопротивления 0.022 Ом). Типоразмер 5×5×2.8 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях. В стандартной заводской бобине 500 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    VLCF5028T-1R3N2R5-2

    Характеристики индуктивных элементов

    ±30 %
    1.3 мкГн
    5.0×5.0x2.8
    2.56 А

    Документация – VLCF5028T-1R3N2R5-2

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 1.5 µH ±30% CLF6045T-1R5N

    33.26 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность CLF6045T-1R5N для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.5 мкГн +/-30%, номинальный ток 4.2 А. Сопротивление постоянному току 13 мОм. Типоразмер 6.2×5.9×4.5 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    CLF6045T-1R5N

    Характеристики индуктивных элементов

    ±30 %
    1.5 мкГн
    6.2×5.9×4.5
    4.2 А

    Документация – CLF6045T-1R5N

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 1.5 µH ±30% CLF7045T-1R5N

    39.99 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность CLF7045T-1R5N для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.5 мкГн +/30%, номинальный ток 4.9 А. Сопротивление постоянному току 11 мОм. Типоразмер 7.2×6.9×4.5 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    CLF7045T-1R5N

    Характеристики индуктивных элементов

    ±30 %
    1.5 мкГн
    7.2×6.9×4.5
    4.9 А

    Документация – CLF7045T-1R5N

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 1.5 µH ±30% SLF10165T-1R5N6R83PF

    41.43 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность SLF10165T-1R5N6R83PF для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 1.5 мкГн +/30%, номинальный ток 6.8 А. Сопротивление постоянному току 6.7 мОм. Типоразмер 10.1×10.1×6.8 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    SLF10165T-1R5N6R83PF

    Характеристики индуктивных элементов

    ±30 %
    1.5 мкГн
    .1×10.1×6.8
    6.8 А

    Документация – SLF10165T-1R5N6R83PF

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±10% B82559A7103A020

    332.59 руб.

    Описание

    Экранированная силовая индуктивность B82559A7103A020 для поверхностного монтажа, серии ERU 20. Индуктивность 10 мкГн ±10%, высокий ток насыщения 18.3 А (25°C). Сопротивление постоянному току 3.7 мОм. Типоразмер (Д*Ш*В) 22.0*22.3*10.7 мм.
    Конструктивно такая индуктивность выполнена по технологии спиральной намотки плоского эмалированного медного провода на ферритовый сердечник. Ферритовый сердечник с намоткой закреплен в ферритовом корпусе, экранирующем помехи. В качестве выводов используются луженые концы собственной обмотки катушки индуктивности, закрепленные на корпусе.
    Подходит для применения в качестве энергонакопительных дросселей в DC/DC – преобразователях, модулях стабилизаторов напряжения.

    Товарные характеристики

    Epcos

    Характеристики индуктивных элементов

    10 %
    10 мкГн
    ERU 20
    18.3 А

    Документация – B82559_A020

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±20% B82462G4103M000

    42.23 руб.

    Описание

    Компактная экранированная силовая индуктивность B82462G4103M000 для поверхностного (SMD) монтажа. Размер (ДxШxВ) 6.3 x 6.3 x 3.0 мм. Индуктивность 10 мкГн ±20%, номинальный ток 1.5 А. Ток насыщения 1.3 А. Сопротивление постоянному току 0.062 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях.

    Товарные характеристики

    B82462-G4103-M
    Epcos
    B82462G4103M000

    Характеристики индуктивных элементов

    ±20 %
    10 мкГн
    6.3×6.3×3
    1.5 А
    1.3 А
    85 °C

    Документация – SMT power inductors B82462G4

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±20% B82464G4103M000

    41.95 руб.

    Описание

    Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4103M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4 x 10.4 x 4.8 мм. Индуктивность 10 мкГн ±20%, номинальный ток 3.4 А. Ток насыщения 3.5 А. Сопротивление постоянному току 0.03 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях. В стандартной заводской бобине 750 шт.

    Товарные характеристики

    B82464-G4103-M
    Epcos
    B82464G4103M000

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    10 мкГн
    10.4×10.4×4.8
    3.4 А
    3.5 А
    85 °C

     Документация – b82464g4

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±20% B82477G4103M000

    35.43 руб.

    Описание

    Компактная экранированная силовая индуктивность B82477G4103M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 12.8 x 12.8 x 8.0 мм. Индуктивность 10 мкГн ±20%, номинальный ток 5.4 А. Ток насыщения 6.4 А. Сопротивление постоянному току 0.022 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для использования в DC/DC-преобразователях.

    Товарные характеристики

    B82477-G4103-M
    Epcos
    B82477G4103M000

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    10 мкГн
    12.8×12.8×8
    5.4 А
    6.4 А
    85 °C
    Документация: B82477G4

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±20% CLF6045T-100M

    34.25 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность CLF6045T-100M для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/-20%, номинальный ток 1.7 А. Сопротивление постоянному току 38 мОм. Типоразмер 6.2×5.9×4.5 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    CLF6045T-100M

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    10 мкГн
    6.2×5.9×4.5
    1.7 А

    Документация – CLF6045T-100M

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±20% CLF7045T-100M

    39.99 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность CLF7045T-100M для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/20%, номинальный ток 2.5 А. Сопротивление постоянному току 38 мОм. Типоразмер 7.2×6.9×4.5 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    CLF7045T-100M

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    10 мкГн
    7.2×6.9×4.5
    2.5 А

    Документация – CLF7045T-100M

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±20% SLF10165T-100M3R83PF

    41.43 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность SLF10165T-100M3R83PF для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/20%, номинальный ток 3.8 А. Сопротивление постоянному току 18.5 мОм. Типоразмер 10.1×10.1×6.8 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    SLF10165T-100M3R83PF

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    10 мкГн
    10.1×10.1×6.8
    3.8 А

    Документация – SLF10165T-100M3R83PF

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±20% SLF6045T-100M1R6-3PF

    38.54 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность SLF6045T-100M1R6-3PF для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/20%, номинальный ток 1.6 А. Сопротивление постоянному току 39 мОм. Типоразмер 6×6×4.5 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, автомобильных системах контроля и безопасности, устройствах с высокой степенью ЭМС-защиты, компьютерах. В стандартной заводской бобине 1000 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    SLF6045T-100M1R6-3PF

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    10 мкГн
    6.0×6.0x4.5
    1.6 А

    Документация – SLF6045T100M1R63PF

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 10 µH ±20% VLCF5028T-100M1R0-2

    46.58 руб.

    Описание

    Силовая SMD индуктивность VLCF5028T-100M1R0-2 для поверхностного монтажа. Корпус экранирован от магнитных помех. Номинальная индуктивность 10 мкГн +/20%, номинальный ток 1.05 А. Сопротивление постоянному току 0.072 Ом (максимальное значения сопротивления 0.083 Ом). Типоразмер 5×5×2.8 мм.
    Подходит для применения в ЖК и плазменных дисплеях, жестких дисках и устройствах чтения оптических носителей информации, DC/DC преобразователях. В стандартной заводской бобине 500 штук.

    Товарные характеристики

    TDK
    VLCF5028T-100M1R0-2

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    10 мкГн
    5.0×5.0x2.8
    1.05 А

    Документация – VLCF5028T-100M1R0-2

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 100 µH ±20% B82464G4104M000

    41.95 руб.

    Описание

    Компактная экранированная силовая индуктивность B82464G4104M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 10.4 x 10.4 x 4.8 мм. Индуктивность 100 мкГн ±20%, номинальный ток 1.05 А. Ток насыщения 1.15 А. Сопротивление постоянному току 0.22 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для фильтрации питающего напряжения и использования в DC/DC-преобразователях. В стандартной заводской бобине 750 шт.

    Товарные характеристики

    B82464-G4104-M
    Epcos
    B82464G4104M000

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    100 мкГн
    10.4×10.4×4.8
    1.05 А
    1.15 А
    85 °C

    Документация – b82464g4

    в наличии

  • Силовая SMD индуктивность 100 µH ±20% B82477G4104M000

    35.43 руб.

    Описание

    Компактная экранированная силовая индуктивность B82477G4104M000 для поверхностного монтажа. Размер (ДxШxВ) 12.8 x 12.8 x 8.0 мм. Индуктивность 100 мкГн ±20%, номинальный ток 1.7 А. Ток насыщения 1.95 А. Сопротивление постоянному току 0.165 Ом. Номинальная температура +85°C. Подходит для использования в DC/DC-преобразователях.

    Товарные характеристики

    B82477-G4104-M
    Epcos
    B82477G4104M000

    Характеристики индуктивных элементов

    20 %
    100 мкГн
    12.8×12.8×8
    1.7 А
    1.95 А
    85 °C

    Документация – B82477G4

    в наличии

  • Заполнитель

    Силовая SMD индуктивность 1000 µH ±20% B82462G4105M000

    42.23 руб.

    в наличии

Телефоны

+7(812)-370-18-80  +7(812)-449-02-70
© 2016 All rights reserved. БЭК info@bec.spb.ru 8 800 333-01-98 +7(812)-370-17-88  +7(812)-449-02-70
Яндекс.Метрика